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创新科技及工业局局长出席第三代半导体氮化镓(GaN)外延片中试线启动礼致辞全文(只有中文)(附图)
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  以下是创新科技及工业局局长孙东教授今日(七月三十日)出席「第三代半导体氮化镓(GaN)外延片中试线启动礼」的致辞全文:

廖博士(麻省光子技术(香港)有限公司行政总裁廖翊韬博士)、Albert(香港科技园公司行政总裁黄克强)、Lillian(创新科技及工业局副局长张曼莉)、各位嘉宾、女士们、先生们:

  大家下午好!我非常高兴今天参加麻省光子技术(香港)有限公司(麻省光子技术)在港兴建第三代半导体氮化镓外延片中试线启动礼。

  香港要因地制宜发展新质生产力,必需发挥好我们的国际化优势和雄厚的科研实力,支持优势科技产业在港发展,而第三代半导体就是香港近年来重点发展的科技领域。

  今天,我非常高兴迎来全球氮化镓外延工艺先驱企业——麻省光子技术公司落户香港。氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键技术,能够优化产品性能,提升稳定性,为行业带来革命性突破。这次麻省光子技术在港投资设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心,以及依托即将成立的微电子中心,准备投资超过两亿港币建立首条高阶量产型八寸车规级氮化镓外延片中试线,将加速推动香港新型工业化,以及微电子生态圈的发展。

  这次麻省光子技术落户香港也助力香港壮大创科人才库。麻省光子技术由氮化镓外延技术专家廖博士创立,廖博士过去在相关领域取得超过40项国际专利,成就非凡;他带领的团队由世界各地的专家组成,除了为香港带来全球领先的前沿技术之外,更能汇聚环球微电子专业人才,促进技术交流。这正好回应了三中全会提到支持香港打造国际高端人才集聚高地。

  全球半导体产业正急速发展,规模预计在二○三○年可超过一万亿美元,潜力无限。特区政府正以产业导向为原则,积极推进微电子产业发展。香港微电子研发院将于今年内成立,并将设立碳化硅和氮化镓两条中试线,协助初创、中小企业进行试产、测试和认证,促进产、学、研在第三代半导体核心技术上的合作。这次麻省光子技术落户香港确切回应了我们的发展战略,我们会继续引入更多优秀的科技企业来港发展和投资,发挥协同效应,让微电子及其他科技产业在香港做大做强。

  今天有关中线试的启动标志着香港微电子产业的新里程。特区政府会继续完善香港创科生态圈,为微电子产业打造有利环境和坚实基础,进一步推动香港新型工业化,促进新兴实体经济在香港的快速发展,为香港经济转型做出贡献。

  最后,我衷心祝愿麻省光子技术在香港大展鸿图!谢谢大家。
 
2024年7月30日(星期二)
香港时间15时42分
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创新科技及工业局局长孙东教授今日(七月三十日)于第三代半导体氮化镓(GaN)外延片中试线启动礼上致辞。